TCAD modeling challenges for 14nm FullyDepleted SOI technology performance assessment
| Autor: | Clement Tavernier, O. Nier, M. Casse, Frederic Monsieur, Michel Haond, J-C. Barbe, Herve Jaouen, Joris Lacord, O. Noblanc, G. Torrente, Yann-Michel Niquet, F.G. Pereira, François Triozon, M-A. Jaud, Denis Rideau |
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| Přispěvatelé: | STMicroelectronics [Crolles] (ST-CROLLES), Département Géochimie, environnement, écoulement, réacteurs industriels et cristallisation (GENERIC-ENSMSE), École des Mines de Saint-Étienne (Mines Saint-Étienne MSE), Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-SPIN, Laboratory of Atomistic Simulation (LSIM ), Modélisation et Exploration des Matériaux (MEM), Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019])-Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble (IRIG), Direction de Recherche Fondamentale (CEA) (DRF (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Direction de Recherche Fondamentale (CEA) (DRF (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019])-Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble (IRIG), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Deutsch, Thierry, Institut de Recherche Interdisciplinaire de Grenoble (IRIG), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019]) |
| Jazyk: | angličtina |
| Rok vydání: | 2015 |
| Předmět: |
010302 applied physics
Computer science Semiconductor device modeling Silicon on insulator Hardware_PERFORMANCEANDRELIABILITY 02 engineering and technology Semiconductor process simulation 021001 nanoscience & nanotechnology 01 natural sciences [PHYS.COND.CM-MS] Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci] Reliability engineering Reliability (semiconductor) Strain engineering Logic gate 0103 physical sciences Hardware_INTEGRATEDCIRCUITS Electronic engineering [PHYS.COND.CM-MS]Physics [physics]/Condensed Matter [cond-mat]/Materials Science [cond-mat.mtrl-sci] 0210 nano-technology Technology CAD ComputingMilieux_MISCELLANEOUS |
| Zdroj: | 2015 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD) 2015 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD), Sep 2015, Washington DC, France. pp.4-7 |
| Popis: | This paper reviews the main challenges for the TCAD of 14nm Fully-Depleted Silicon-On-Insulator (FDSOI) technology performance assessment. Thanks to a multi-scale approach combining extensive electrical characterization and advanced solvers simulations, ensuring deep physical insight, we provide TCAD simulation framework for device layout optimization, strain engineering and device reliability assessment. |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
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