Caracterização e otimização dos processos de fotolitografia aplicados na fabricação de dispositivos micrometricos MOS e microssistemas

Autor: Fioravante Junior, Nemer Paschoal
Přispěvatelé: Tatsch, Peter Jürgen, 1949, Moshkalev, Stanislav, 1952, Seabra, Antonio Carlos, Diniz, José Alexandre, Zakia, Maria Beny Pinto, Universidade Estadual de Campinas. Faculdade de Engenharia Elétrica e de Computação, UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS
Rok vydání: 2021
Předmět:
Zdroj: Biblioteca Digital de Teses e Dissertações da Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
Universidade Estadual de Campinas (UNICAMP)
instacron:UNICAMP
Popis: Orientadores: Peter Jurgen Tatsch, Stanislav Moshkalyov Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação Resumo: O principal objetivo deste trabalho é o aperfeiçoamento dos processos de fotolitografia utilizados no Centro de Componentes Semicondutores (CCS) da Universidade Estadual de Campinas ¿ UNICAMP. Visa determinar os parâmetros de maior relevância do processo de fotolitografia utilizado no CCS para fabricação de estruturas micrométricas e a partir da sua caracterização identificar os seus valores ótimos. Os parâmetros tais como o contraste, a aderência, a resolução e a dimensão mínima dos padrões fotogravados foram estudados a fim de se determinar as possibilidades de melhoria e as limitações dos processos. No decorrer deste trabalho foi utilizado basicamente o fotorresiste AZ 5214E com o qual foi possível o desenvolvimento de processos repetitivos que permitiram a fabricação de estruturas periódicas com largura de até 2µm e estruturas isoladas com largura de até 0,8µm Abstract: The aim of this work is to improve the photolithographic processes of the CCS/Unicamp. This work attempts findout and optimize the most significant process parameters for the fabrication of micrometric structures. Contrast, adhesion, resolution, and minimum dimension for the shapes were studied in order to improve the process and also determine their limitations. A procedure for the processing of AZ 5214E photoresist was established so that periodic structures with dimension as low as 2 µm and isolated structures down to 0,8 µm can be produced reproductively Mestrado Microeletrônica Mestre em Engenharia Elétrica
Databáze: OpenAIRE
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