Mapping of mechanical strain induced by thin and narrow dielectric stripes on InP surfaces
| Autor: | Christophe Levallois, Marc Fouchier, Daniel T. Cassidy, Juan Jiménez, A. Torres, Névine Rochat, Jean-Pierre Landesman, Merwan Mokhtari, Erwine Pargon |
|---|---|
| Přispěvatelé: | Institut de Physique de Rennes (IPR), Université de Rennes 1 (UR1), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), McMaster University [Hamilton, Ontario], Laboratoire des technologies de la microélectronique (LTM ), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Grenoble Alpes [2016-2019] (UGA [2016-2019]), Institut des Fonctions Optiques pour les Technologies de l'informatiON (Institut FOTON), Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-IMT Atlantique Bretagne-Pays de la Loire (IMT Atlantique), Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT)-Institut Mines-Télécom [Paris] (IMT), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information (CEA-LETI), Direction de Recherche Technologique (CEA) (DRT (CEA)), Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA)-Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives (CEA), Universidad de Valladolid [Valladolid] (UVa), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Université de Rennes (UNIV-RENNES)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS)-Université Bretagne Loire (UBL)-IMT Atlantique Bretagne-Pays de la Loire (IMT Atlantique), Université de Rennes (UR)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS), Université de Rennes (UR)-Institut National des Sciences Appliquées - Rennes (INSA Rennes), Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-Institut National des Sciences Appliquées (INSA)-École Nationale Supérieure des Sciences Appliquées et de Technologie (ENSSAT)-Centre National de la Recherche Scientifique (CNRS) |
| Jazyk: | angličtina |
| Rok vydání: | 2018 |
| Předmět: |
Materials science
Photoluminescence chemical (310.5448) Polarization other optical properties Cathodoluminescence Dielectric Deformation (meteorology) 01 natural sciences Semiconductor materials 010309 optics Optics (310.5448) Polarization (250.5230) Photoluminescence etc.) 0103 physical sciences (240.0310) Thin films (310.4925) Other properties (stress chemical etc.) 010302 applied physics [PHYS]Physics [physics] business.industry OCIS codes: (160.6000) Semiconductor materials other optical properties (250.1500) Cathodoluminescence Atomic and Molecular Physics and Optics Semiconductor (310.4925) Other properties (stress Degree of polarization Luminescence business Refractive index |
| Zdroj: | Optics Letters Optics Letters, Optical Society of America-OSA Publishing, 2018, 43 (15), pp.3505. ⟨10.1364/OL.43.003505⟩ Optics Letters, 2018, 43 (15), pp.3505. ⟨10.1364/OL.43.003505⟩ UVaDOC. Repositorio Documental de la Universidad de Valladolid instname |
| ISSN: | 0146-9592 1539-4794 |
| DOI: | 10.1364/OL.43.003505⟩ |
| Popis: | International audience; We investigated deformation of InP that was introduced by thin, narrow, dielectric SINx stripes on the (100) surface of InP substrates. Quantitative optical measurements were performed using two different techniques based on luminescence from the InP first, by degree of polarization of photoluminescence; and second, by cathodoluminescence spectroscopy. The two techniques provide complementary information on deformation of the InP and thus together provide a means to evaluate approaches to simulation of the deformation owing to dielectric stripes. Ultimately, these deformations can be used to estimate changes in refractive index and gain that are a result of the stripes. (C) 2018 Optical Society of America |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
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