NANOTEXNOLOGIYA SOHASINING RIVOJLANISHIDA YARIMO'TKAZGICHLI ASBOBLARNING AHAMIYATI

Autor: Nasriyeva Malika Xayrullo Qizi
Jazyk: uzbečtina
Rok vydání: 2023
Předmět:
DOI: 10.5281/zenodo.7555997
Popis: Ushbu maqolada nanotexnologiyalar sohasini rivojlanishida yarimo‘tkazgichli asboblarning tutgan o‘rni va ahamiyati yoritilgan bo‘lib, radioelektronika, optoelektronika, texnika sohasida qo‘llaniladigan yarimo‘tkazgichli asboblarning afzalliklari yoritilgan.
{"references":["1.\tAlferov Zh. I., Andreev V M., Rumyantsev V D. III-V Heterostructures in Photovoltaics. Concentrator Photovoltaic, Berlin Heidelberg, Springer-Verlag, 2007, pp. 25-50. 2.\tElektron texnika va radioelektronikaga oid atamalarning o'zbekcharuscha izohli lug'ati. prof. M. Muhiddinov umumiy tahriri ostida. Т.:BILIM, 2007. - 432 b. 3.\tТураев А. А. Особенности температурной чувствительности транзисторной структуры в двухполюсном режиме //Colloquium-journal. – Голопристанський міськрайонний центр зайнятості, 2019. – №. 3-1 (27). – С. 71-74. 4.\tAbdulkhayev O. A. et al. Physico-technological aspects multifunctional sensor on field-effect transistor //New Trends of Development Fundamental and Applied Physics: Problems, Achievements and Prospects. – 2016. – С. 10-11. 5.\tTuraev A. A., KS S. Dinamik yuklamali sxemada maydoniy tranzistorning kuchaytirish xossalari //Buxoro davlat universiteti ilmiy axboroti. – 2016. – Т. 4. – №. 64. – С. 31-35. 6.\tRakhmanovich D. D. et al. Physical and Technological Aspects of the Sensor on the Field Transistor //Central Asian journal of theoretical & applied sciences. – 2021. – Т. 2. – №. 10. – С. 101-106. 7.\tAhmedjonovna S. S., Ataevich T. A. Control of stock current in field-effect transistors by gate voltage //ACADEMICIA: An International Multidisciplinary Research Journal. – 2021. – Т. 11. – №. 4. – С. 417-421. 8.\tKarimov A. V. et al. Features amplifying properties of a field effect transistor in the circuit with dynamic load //Physical Surface Engineering. – 2015. – Т. 13. – №. 1. – С. 12-16. 9.\tRakhmatov A. Z. et al. Research the drain characteristics of field-effect transistor as current limiter. – 2010. 10.\tТураев А. А. Термочувствительный параметр полевого транзистора в режиме ограничения токов //Научный альманах. – 2019. – №. 2-2. – С. 81-84. 11.\tKarimov A. V., Djuraev D. R., Turaev A. A. Investigation temperature sensitivity of the field-effect transistor in channel depletion mode //Journal of Scientific and Engineering Research. – 2017. – Т. 4. – №. 2. – С. 1-4. 12.\tKarimov A. V., Djurayev D. R., Turaev A. A. Physical-technological aspects of a multifunctional sensor based on a field-effect transistor. World Journal of Engineering Research and //Technology. – 2017. – Т. 3. – №. 2. – С. 57. 13.\tТураев А. А., Жураев А. Р. Модуль приема оптических сигналов с входным каскадом на полевом фототранзисторе : дис. – Сумский государственный университет, 2016. 14.\tКаримов А. В. и др. Особенности температурной чувствительности транзисторной структуры в двухполюсном режиме измерения //Инженерно-физический журнал. – 2016. – Т. 89. – №. 2. – С. 497-500. 15.\tAbdulkhaev O. A. et al. The optical signal transfer and reception modules via atmosphere. – 2011. 16.\tJuraev D. R., Nazarova M., Turaev A. The atmospheric optical communication link of new generation. – 2010. 17.\tТураев А. А. Стоковая, вольтамперные характеристики полевого транзистора //Информационные и инновационные технологии в науке и образовании. – 2020. – С. 666-669. 18.\tТураев, А. А. \"Стоковая, вольтамперные характеристики полевого транзистора.\" Информационные и инновационные технологии в науке и образовании. 2020. 19.\tТураев, А. А. (2020). Стоковая, вольтамперные характеристики полевого транзистора. In Информационные и инновационные технологии в науке и образовании (pp. 666-669). 20.\tКаримов А. В. и др. Особенности усилительных свойств полевого транзистора в схеме с динамической нагрузкой //Журнал фізики та інженерії поверхні. – 2015. – Т. 13. – №. 1. – С. 12-16. 21.\tТураев А. А., Хайдаров Р. М., Хожиев Ж. Ж. Фотовольтаический эффект в диодном режиме включения полевого транзистора //Молодой ученый. – 2015. – №. 23. – С. 40-43. 22.\tДжураев Д. Р., Тураев А. А. ТЕМПЕРАТУРНАЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ ТРАНЗИСТОРНОЙ СТРУКТУРЫ В ДВУХПОЛЮСНОМ РЕЖИМЕ //ҚАЙТА ТИКЛАНУВЧИ ЭНЕРГИЯ МАНБАЛАРИ ВА БАРҚАРОР АТРОФ МУҲИТНИНГ ЗАМОНАВИЙ МУАММОЛАРИ. – С. 92. 23.\tTurayev A. A., Hamrayev J. H. Researching of the influence of mechanical stresses on magneto-optical properties of iron borate crystal //Global Scientific Review. – 2022. – Т. 10. – С. 82-85. 24.\tAtayevich T. A. et al. Properties of the Most Important Semiconductors //American Journal of Social and Humanitarian Research. – 2022. – Т. 3. – №. 7. – С. 188-194. 25.\tD Djurayev, A Turayev, O To'Rayev. YUQОRI HARОRATLI KUPRAT ОTA ОTKAZGICHLAR VA ULARNING AMALIY AHAMIYATI// Science and innovation 1 (A8), 15-23 26.\tАА Тураев. ФИЗИКО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ АСПЕКТЫ ДАТЧИКА НА ПОЛЕВОМ ТРАНЗИСТОРЕ//Национальная ассоциация ученых, 56-59 27.\tAZ Rakhmatov, BM Kamanov, DR Dzhuraev, AA Turaev.Research the drain characteristics of field-effect transistor as current limiter; Issledovanie stokovykh kharakteristik polevogo tranzistora v kachestve ogranichitelya toka 28.\tOA Abdulkhaev, GO Asanova, DM Yodgorova, AV Karimov, DR Dzhuraev, ...The optical signal transfer and reception modules via atmosphere; Moduli peredachi i priema opticheskogo signala cherez atmosferu 29.\tДР Джураев, АА Тураев. МАЙДОН ТРАНЗИСТОРЛАРИ АСОСИЙ ПАРАМЕТРЛАРИНИНГ ХУСУСИЯТЛАРИ ОСОБЕННОСТИ КЛЮЧЕВЫХ ПАРАМЕТРОВ ПОЛЕВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ FEATURES OF KEY PARAMETERS OF FIELD TRANSISTORS 30.\tА.Н. Игнатов, С.В. Калинин, Н.Е. Фадеева. Микросхемотехника и наноэлектроника: Н.: СибГУТИ, 2007. 244 с. 31.\tЮ.Ф. Опадчий, О.П. Глудкин, А.И. Гуров. Аналоговая и цифровая электроника: М.: Горячая линия - Телеком, 2003. 768 с. 32.\tАлферов Ж. И., Андреев В. М., Румянцев В. Д. Тенденции и перспективы развития солнечной фотоэнергетики // Физика и техника полупроводников. 2004. Т. 38. Вып. 8. С. 937-948."]}
Databáze: OpenAIRE
Externí odkaz: