Investigation on the equilibrium vapour pressure over a GaAs melt

Autor:	C. Frank, E. Buhrig, M. John, K. Hein, S. Hegewald
Rok vydání:	1994
Předmět:	Monocrystalline silicon Pressure measurement law Chemistry Vapor pressure Semiconductor materials Melting point Physical chemistry General Materials Science General Chemistry Atmospheric temperature range Condensed Matter Physics law.invention
Zdroj:	Crystal Research and Technology. 29:549-554
ISSN:	1521-4079 0232-1300
Popis:	Investigations of the equilibrium vapour pressure over GaAs were carried out by a Bourdon manometer in the temperature range of 1170–1260 °C. By means of this method it is possible to measure the vapour pressure in a closed system with high accuracy. At the melting point the vapour pressure is 73 ± 4 kPa over polycrystalline GaAs produced by low-pressure synthesis and 71 ± 4 kPa over monocrystalline horizontal gradient freezing material. The experimental and the calculated values were compared. Es wurden Untersuchungen zur Bestimmung des Gleichgewichtsdampfdruckes uber GaAs mit einem Bourdon-Manometer im Temperaturbereich von 1170–1260 °C durchgefuhrt. Diese Methode ermoglicht die Dampfdruckbestimmung in einem geschlossenen System mit hoher Genauigkeit. Am Schmelzpunkt wurde ein Dampfdruck von 73 ± 4 kPa uber polykristallinem Niederdruck-GaAs und 71 ± 4 kPa uber einkristallinem Horizontal-Gradient-Freezing-Material ermittelt. Es erfolgte ein Vergleich der experimentell bestimmten mit berechneten Werten.
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ffec28435a8be981739cd95afe5f775f https://doi.org/10.1002/crat.2170290418 Zobrazit plný text záznamu Plný text