Investigation on the equilibrium vapour pressure over a GaAs melt
Autor: | C. Frank, E. Buhrig, M. John, K. Hein, S. Hegewald |
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Rok vydání: | 1994 |
Předmět: | |
Zdroj: | Crystal Research and Technology. 29:549-554 |
ISSN: | 1521-4079 0232-1300 |
Popis: | Investigations of the equilibrium vapour pressure over GaAs were carried out by a Bourdon manometer in the temperature range of 1170–1260 °C. By means of this method it is possible to measure the vapour pressure in a closed system with high accuracy. At the melting point the vapour pressure is 73 ± 4 kPa over polycrystalline GaAs produced by low-pressure synthesis and 71 ± 4 kPa over monocrystalline horizontal gradient freezing material. The experimental and the calculated values were compared. Es wurden Untersuchungen zur Bestimmung des Gleichgewichtsdampfdruckes uber GaAs mit einem Bourdon-Manometer im Temperaturbereich von 1170–1260 °C durchgefuhrt. Diese Methode ermoglicht die Dampfdruckbestimmung in einem geschlossenen System mit hoher Genauigkeit. Am Schmelzpunkt wurde ein Dampfdruck von 73 ± 4 kPa uber polykristallinem Niederdruck-GaAs und 71 ± 4 kPa uber einkristallinem Horizontal-Gradient-Freezing-Material ermittelt. Es erfolgte ein Vergleich der experimentell bestimmten mit berechneten Werten. |
Databáze: | OpenAIRE |
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