Electrical Properties and Their Depth Variation in Poly-Si under AM1 Illumination

Autor: Z. Chen, L. C. Burton
Rok vydání: 1990
Předmět:
Zdroj: physica status solidi (a). 122:361-370
ISSN: 1521-396X
0031-8965
DOI: 10.1002/pssa.2211220135
Popis: New relations for the polysilicon grain boundary (GB) potential barrier height (Ug) for both, the dark and light cases, are developed. The dependency of Ug on doping concentration (N), photogeneration (G), trap density (Nts), and the depth from surface (x), are discussed theoretically, along with the resulting minority carrier lifetime (τ), mobility (μ), and diffusion length (L). It is shown that Vg increases with depth and trap density, whereas the transport parameters decrease drastically under air-mass number 1 (AM 1) illumination. Es werden neue Beziehungen fur die Hohe der Potentialbarrieren (Ug) von Polysiliziumkorngrenzen (GB) sowohl fur den Fall der Dunkelheit als auch in Licht entwickelt. Die Abhangigkeit von Ug von Dotierungskonzentration (N), Photoanregung (G), Haftstellendichte (Nts) und der Tiefe unterhalb der Oberflache (x), werden zusammen mit der resultierenden Minoritatstragerlebensdauer (τ). Beweglichkeit (μ) und Diffusionslange (L) diskutiert. Es wird gezeigt, das Vg mit der Tiefe und Haftstellendichte zunimmt, wahrend die Transportparameter unter Belichtung mit AM 1 (air-mass number 1) drastisch zunimmt.
Databáze: OpenAIRE
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