Характеристики двух затворных КМОП нанотранзисторов c градиентно-легированной рабочей областью

Jazyk:	ruština
Rok vydání:	2016
Předmět:	симметричный двух затворный КНИ КМОП нанотранзистор градиентно-легированная рабочая область вольт-амперные характеристики 2D уравнение Пуассона
DOI:	10.25682/niisi.2016.2.11720
Popis:	При помощи численного моделирования исследуются электро-физические характеристики двух затворных транзисторных КНИ наноструктур с неравномерно-легированной рабочей областью. Предложенная математическая модель имплементирует подход численного решения 2D уравнения Пуассона. На основании полученного распределения потенциала вычисляются пороговое напряжение, подпороговый наклон и вольт-амперные характеристики суб-50 нм структур. №2 (2018)
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::fd5cc3d8b8e42ac2c5ddf1b5c82c0b14 Zobrazit plný text záznamu