In-situ PECVD-based stoichiometric SiO2 layer for semiconductor devices
Autor: | Duy Phong Pham, Hongrae Kim, Jiwon Choi, Donghyun Oh, Yung-Bin Chung, Woo-Seok Jeon, Jungyun Jo, Vinh-Ai Dao, Suresh Kumar Dhungel, Junsin Yi |
---|---|
Rok vydání: | 2023 |
Předmět: | |
Zdroj: | Optical Materials. 137:113536 |
ISSN: | 0925-3467 |
Databáze: | OpenAIRE |
Externí odkaz: |