Physical Properties of (n+)SrTiO3 Films
Autor: | J. Claverie, J. P. Manaud, Guy Campet, C. Puprichitkun, Sun Zhi Wen |
---|---|
Rok vydání: | 1987 |
Předmět: | |
Zdroj: | Physica Status Solidi (a). 103:175-184 |
ISSN: | 1521-396X 0031-8965 |
DOI: | 10.1002/pssa.2211030119 |
Popis: | The physical properties of sputtered SrTiO3 films, determined from photoelectrochemical behavior and conductivity measurements, are examined. High ionized donor density, small carrier diffusion length, and low mobility characterize the n+-type semiconducting films in which the carriers enter self-trapped states as a result of disorder occuring in the films. Es werden die physikalischen Eigenschaften gesputterter SrTiO3-Schichten untersucht, die aus dem photoelektrochemischen Verhalten und Leitfahigkeitsmessungen bestimmt werden. Eine hohe Dichte ionisierter Donatoren, eine kleine Ladungstragerdiffusionslange und niedrige Beweglichkeit charakterisieren die n+-leitenden Halbleiterschichten, in denen die Ladungstrager selbstgetrapte Zustande als Ergebnis von Fehlordnung in diesen Schichten besetzen. |
Databáze: | OpenAIRE |
Externí odkaz: |