A Ka-band Power Amplifier with On-chip Power Detector in 0.15 μm GaAs pHEMT Technology

Autor:	Sanghoon Sim, Laurence Jeon
Rok vydání:	2022
Předmět:	Electrical and Electronic Engineering Electronic Optical and Magnetic Materials
Zdroj:	JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE. 22:493-498
ISSN:	2233-4866 1598-1657
DOI:	10.5573/jsts.2022.22.6.493
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f80d92841f6128a0d934eac5a6eaa11e https://doi.org/10.5573/jsts.2022.22.6.493 Zobrazit plný text záznamu