Formation of self-assembling II-VI semiconductor nanostructures during migration enhanced epitaxy

Autor:	U Woggon
Rok vydání:	1998
Předmět:	Inorganic Chemistry Materials Chemistry Condensed Matter Physics
Zdroj:	Journal of Crystal Growth. :259-263
ISSN:	0022-0248
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f7eb9659db3598e8a46a3f991ce43ae7 https://doi.org/10.1016/s0022-0248(97)00712-4 Zobrazit plný text záznamu Full Text from ScienceDirect