Mechanism and Conductance Range Enhancement of TiN/AlO x /AlO y /ITO Synaptic Devices
Autor: | Yujian Zhang, Kailiang Zhang, Xuanyu Zhao, Zheng Sun, Qiaozhen Zhou, Xin Shan, Xin Lin, Kunming Liu, Zexia Ma, Ke Shan, Fang Wang |
---|---|
Rok vydání: | 2022 |
Předmět: | |
Zdroj: | physica status solidi (RRL) – Rapid Research Letters. 16:2200199 |
ISSN: | 1862-6270 1862-6254 |
Databáze: | OpenAIRE |
Externí odkaz: |