Mechanism and Conductance Range Enhancement of TiN/AlO x /AlO y /ITO Synaptic Devices

Autor: Yujian Zhang, Kailiang Zhang, Xuanyu Zhao, Zheng Sun, Qiaozhen Zhou, Xin Shan, Xin Lin, Kunming Liu, Zexia Ma, Ke Shan, Fang Wang
Rok vydání: 2022
Předmět:
Zdroj: physica status solidi (RRL) – Rapid Research Letters. 16:2200199
ISSN: 1862-6270
1862-6254
Databáze: OpenAIRE