Diody Schottky‘ego i tranzystory MESFET na bazie In-Ga-Zn-O z przezroczyst� bramk� Ru-Si-O

Autor:	Michal Kozubal, W. Jung, Andrzej Taube, J. Grochowski, E. Dynowska, Jakub Kaczmarski, A. Piotrowska, Eliana Kamińska
Rok vydání:	2014
Předmět:	Materials science business.industry Optoelectronics Schottky diode MESFET business Transparent electronics
Zdroj:	ELEKTRONIKA - KONSTRUKCJE, TECHNOLOGIE, ZASTOSOWANIA. 1:26-28
ISSN:	0033-2089
DOI:	10.15199/ele-2014-123
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::f577512e8f943e0bfa94983e4ae7f50e https://doi.org/10.15199/ele-2014-123 Zobrazit plný text záznamu