Investigation of SiO2 layers deposited by plasma decomposition of tetra-ethoxy silane in a planar reactor

Autor: E. V. Gerova, K. I. Kirov, S. Georgiev, S. P. Aleksandrova
Rok vydání: 1978
Předmět:
Zdroj: Physica Status Solidi (a). 48:609-614
ISSN: 1521-396X
0031-8965
Popis: SiO2 layers on Si substrates are obtained in planar reactor by decomposition of tetra-ethoxy silane in oxygen plasma. The layers deposited at substrate temperature of 300 °C show some porosity, hygroscopicity, increased etching rate, and water incorporated, so that MOS structures that use such layers have unstable CU curves and high density of interface states. These characteristics can substantially be improved after annealing at 400 °C in H2. The etching rate also decreased but reached the value that is characteristic of thermal SiO2 only after high temperature annealing. SiO2-Schichten auf Si-Substraten werden durch Zersetzung von Tetraethoxysilan im Sauerstoffsplasma eines Planarreaktors erhalten. Die Schichten, die bei einer Substrattemperatur von 300 °C abgeschieden werden, zeigen Porositat, Hygroskopie, erhohte Atzrate und eingeschlossenes Wasser, so das MOS Strukturen, die aus diesen Schichten hergestellt werden, unstabile CU-Kurven und hohe Interface-Zustandsdichten besitzen. Nach Tempern bei 400 °C in H2-Atmosphare werden diese Charakteristiken wesentlich verbessert. Obwohl sich die Atzrate verringert, erreicht sie den fur thermisches SiO2 typischen Wert nur nach einer Hochtemperaturbehandlung.
Databáze: OpenAIRE
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