A Classification of the Dislocation-Related Photoluminescencence in Silicon

Autor: Yu. T. Rebane, Yu. G. Shreter, D. V. Tarhin, A. A. Sitnikova, Yu. S. Lelikov, S. S. Ruvimov
Rok vydání: 1992
Předmět:
Zdroj: physica status solidi (b). 172:53-63
ISSN: 1521-3951
0370-1972
DOI: 10.1002/pssb.2221720107
Popis: The photoluminescence (PL) spectra of the basic extended defects in Si are obtained. A new classification of the PL lines is proposed according to the squared edge components of the Burger's vectors of the dislocations which surround the structural defects. The different manifold splitting of the various dislocation-related PL lines are predicted for external perturbations violating the crystal symmetry. The possibility of the passivation of these dislocation cores by transition metal impurities is also discussed. Die Photolumineszenz (PL)-Spektren der hauptsachlichen ausgedehnten Defekten in Si werden erhaten. Es wird eine neue Klassifizierung hinsichtlich der Quadrete der Kantenkomponenten der Burgers-Vektoren der den Strukturdefekt umgebenden Versetzungen. vorgeschlagen. Vielfachaufspaltung der mit den Versetzungen verknupften PL-Linien wird vorausgesagt, wenn ausere Storungen. die Kristallsymmetrie verletzen. Die Moglihkeit der Passivierung dieser Versetzungskerne durch Ubergangsmetall-Fremdatome wird ebenfalls diskutiert.
Databáze: OpenAIRE
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