Tight-Binding Calculations for the Angle-Resolved Local Density of States of InP(110) Surfaces
| Autor: | S. K. Joshi, I. Singh, S. Jalaj |
|---|---|
| Rok vydání: | 1984 |
| Předmět: |
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Local density of states Tight binding Photoemission spectroscopy Chemistry Density of states Indium phosphide Angle-resolved photoemission spectroscopy Atomic physics Condensed Matter Physics Layer (electronics) Die (integrated circuit) Electronic Optical and Magnetic Materials |
| Zdroj: | physica status solidi (b). 126:669-676 |
| ISSN: | 1521-3951 0370-1972 |
| DOI: | 10.1002/pssb.2221260226 |
| Popis: | Angle-resolved electronic local density of states and layer density of states of indium phosphide(110) surfaces are calculated using empirical tight binding methods. The slab method is used for the purpose. The results are compared with recent angle-resolved photoemission spectroscopy (ARUPS) findings. Die winkelaufgeloste lokale elektronische Zustandsdichte und die Zustandsdichte von Indiumphosphid(110)-Oberflachen werden mit empirischen „tight-binding”-Methoden berechnet. Zu diesem Zweck wird die Plattenmethode benutzt. Die Ergebnisse werden mit neueren Ergebnissen der winkelaufgelosten Photoemissionsspektroskopie (ARUPS) verglichen. |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
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