Etude et modélisation des propriétés dynamiques des transistors MOS de puissance radio fréquences (UHF)
| Autor: | H. Tranduc, K. Kassmi, P. Rossel, F. Oms |
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| Rok vydání: | 1994 |
| Předmět: | |
| Zdroj: | Journal de Physique III. 4:503-529 |
| ISSN: | 1286-4897 1155-4320 |
| DOI: | 10.1051/jp3:1994142 |
| Popis: | Les progres effectues dans la technologie des transistors MOS de puissance permettent de realiser des composants dont les performances en frequence et en puissance offrent l'opportunite d'une utilisation en tant qu'amplificateur dans les bandes VHF et UHF. Dans le domaine des telecommunications, une application potentielle est l'etage de sortie—emission—des repeteurs de radiotelephonie mobile dans les bandes etroites 890-915 MHz et 935-960 MHz allouees au systeme europeen GSM (Groupe Special Mobile). Dans cet article, les proprietes et caracteristiques de ces composants sont analysees sur la base originale d'un modele physique general, puis d'un modele simplifie, compatible avec les logiciels SPICE et ELDO, du transistor VDMOS de puissance UHF. Des validations en regime statique, regime dynamique petit signal ainsi qu'en regime de commutation resistive sont tout d'abord presentees. Enfin, une etude plus specifique sur les proprietes de ces transistors MOS en amplification de puissance radio frequences — gain en puissance, puissance de sortie, impedances grands signaux, distorsion d'intermodulation d'ordre trois — est effectuee sur la base d'une methodologie d'approche temporelle. Les comparaisons theorie — experience sont presentees dans tous les regimes de fonctionnement ; des commentaires quant aux performances actuelles de ces produits sont faits. |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
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