Impact of Structural Parameter Scaling on On-state Voltage in 1200V Scaled IGBTs

Autor: T. Saraya, K. Ito, T. Takakura, M. Fukui, S. Suzuki, K. Takeuchi, K. Kakushima, T. Hoshii, K. Tsutsui, H. Iwai, S. Nishizawa, I. Omura, T. Hiramoto
Rok vydání: 2019
Předmět:
Zdroj: Extended Abstracts of the 2019 International Conference on Solid State Devices and Materials.
DOI: 10.7567/ssdm.2019.k-3-02
Databáze: OpenAIRE