Independent control of size and shape of GaAs nanostructures during droplet epitaxy using ultra-low arsenic flux
| Autor: | Balakirev, Sergey, Lakhina, Ekaterina, Kirichenko, Danil, Chernenko, Natalia, Shandyba, Nikita, Eremenko, Mikhail, Solodovnik, Maxim |
|---|---|
| Jazyk: | angličtina |
| Rok vydání: | 2022 |
| Předmět: | |
| DOI: | 10.18721/jpm.153.362 |
| Popis: | GaAs nanostructures are promising candidates for use in future nanoelectronics and quantum photonics. However, technology of their controllable fabrication with precisely predefined size, shape and surface density still requires further improvement. In this paper, we reveal a possibility to reduce a size of gallium droplets using exposure to the arsenic flux of ultra-low values. The control of size and shape of droplets is implemented independently of their surface density that enables formation of low-density arrays of small-sized quantum dots. Based on droplet arrays with trimodal size distribution, we demonstrate that droplets with larger sizes are less influenced by the low arsenic flux whereas smaller droplets may reduce in volume or decay completely resulting in the formation of nanoholes. The technique under consideration can be used for the fabrication of single quantum dot devices with specified characteristics. В данной работе демонстрируется возможность уменьшения размера капель галлия за счет воздействия на них потока мышьяка ультрамалых значений. Управление размером и формой капель осуществляется независимо от их поверхностной плотности, что позволяет формировать массивы квантовых точек малого размера с низкой поверхностной плотностью. Основываясь на массивах капель с тримодальным распределением по размерам, мы демонстрируем, что капли большего размера в меньшей степени подвержены влиянию малого потока мышьяка, в то время как капли меньшего размера могут уменьшаться в объеме или полностью распадаться, приводя к формированию наноуглублений. |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
|