Improved Subthreshold Swing of MoS₂ Negative-Capacitance Transistor by Using HfZrAlO as Ferroelectric Layer of Gate-Stack

Autor:	Xinge Tao, Lu Liu, Jingping Xu
Rok vydání:	2023
Předmět:	Electrical and Electronic Engineering Electronic Optical and Magnetic Materials
Zdroj:	IEEE Transactions on Electron Devices. 70:796-800
ISSN:	1557-9646 0018-9383
DOI:	10.1109/ted.2022.3228221
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ec6850d67ef5e89b89ec949d55d87050 https://doi.org/10.1109/ted.2022.3228221 Zobrazit plný text záznamu