EPITAXIAL Y2O3 ON Si (001) BY MBE FOR HIGH-k GATE DIELECTRIC APPLICATIONS

Autor:	G. Vellianitis, A. Dimoulas, A. Travlos
Rok vydání:	2001
Předmět:	Materials science business.industry Gate dielectric Optoelectronics Epitaxy business High-κ dielectric
Zdroj:	Microelectronics, Microsystems and Nanotechnology.
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ec32d119a1bab05a8425f5bcfaceeef2 https://doi.org/10.1142/9789812810861_0037 Zobrazit plný text záznamu