Studies on H2O-based Atomic Layer Deposition of Al2O3 Dielectric on Pristine Graphene
| Autor: | You-Wei ZHANG, Li WAN, Xin-Hong CHENG, Zhong-Jian WANG, Chao XIA, Duo CAO, Ting-Ting JIA, Yue-Hui YU |
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| Rok vydání: | 2012 |
| Předmět: | |
| Zdroj: | Journal of Inorganic Materials. 27:956-960 |
| ISSN: | 1000-324X |
| DOI: | 10.3724/sp.j.1077.2012.11663 |
| Popis: | 采用水基原子层沉积(H 2 O-based ALD)方法在石墨烯上直接生长Al 2 O 3 介质薄膜, 研究了Al 2 O 3 成核机理. 原子力显微镜(AFM)对Al 2 O 3 薄膜微观形态分析表明, 沉积温度决定着Al 2 O 3 在石墨烯表面的成核生长情况, 物理吸附在石墨烯表面的水分子是Al 2 O 3 成核的关键, 物理吸附水分子的均匀性直接影响Al 2 O 3 薄膜的均匀性. 在适当的温度窗口(100~130℃), Al 2 O 3 可以均匀沉积在石墨烯上, AFM测得Al 2 O 3 薄膜表面均方根粗糙度(RMS)为0.26 nm, X射线光电子能谱(XPS)表面分析与元素深度剖析表明, 120℃下在石墨烯表面沉积的Al 2 O 3 薄膜中O和Al元素的含量比约为1.5. 拉曼光谱分析表明, 采用H 2 O-based ALD工艺沉积栅介质薄膜不会降低石墨烯晶体质量. |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
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