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A ideia é explorar a combinação de óxidos semicondutores, principalmente SnO2 e TiO2, com estruturas baseadas no grafeno para estudar o transporte elétrico, e contribuir para a obtenção de novos materiais e novos dispositivos baseados nessas estruturas híbridas. A alta transparência da camada superior de óxido permite a modulação da condutividade com a excitação óptica e a possibilidade de obtenção de materiais 2D avançados, pode gerar combinações inéditas, de alto apelo científico e tecnológico. Neste trabalho propomos o uso de óxido de grafeno reduzido (rGO). Para investigar as propriedades de transporte tanto das camadas individuais de rGO e de óxidos semicondutores, como da estrutura híbrida, propomos medidas de decaimento de corrente fotoexcitada, e do espectro da fotocondutividade, verificando-se as regiões do espectro para excitação óptica dos portadores de carga, de modo a se ter uma relação completa do transporte elétrico foto e termo-induzido. Além disso, deveremos também dar continuidade a pesquisa com outros tipos de heteroestruturas, como SnO2/GaAs, que tem gerado bons frutos, e SnO2/SnO, que pode dar origem a uma junção p-n, com simples variação da estequiometria entre camadas diferentes. É importante ressaltar que a produção de rGO, assim como assessoria na deposição dos filmes de óxidos semicondutores será feita pelo grupo do Prof. Dr. Luiz Carlos da Lima Filho do Dep. Química da FC-UNESP Bauru, garantindo a qualidade do material investigado. |
