Caractérisation des états d'interface dans des transistors MOS submicroniques par différentes techniques de pompage de charge

Autor:	Jacques Delmas, F. Seigneur, B. Balland, C. Plossu, Jean-Luc Autran
Rok vydání:	1993
Předmět:	General Engineering General Physics and Astronomy
Zdroj:	Journal de Physique III. 3:1947-1961
ISSN:	1286-4897 1155-4320
DOI:	10.1051/jp3:1993252
Popis:	Nous avons effectue une etude comparative des differentes techniques de pompage de charge (classique, a trois niveaux, spectroscopique) et d'analyse electrique conventionnelles (DLTS, mesures C-V) sur des structures MOS et MOSFET submicroniques. La repartition energetique de la densite d'etats d'interface a ete determinee pour des substrats d'orientation 〈100 〉 de type N et P a differentes etapes d'un procede de fabrication CMOS. Nous avons ainsi montre que les techniques de pompage de charge sont de puissants outils de caracterisation et de diagnostic permettant d'evaluer, avec une grande sensibilite, l'influence des traitements thermiques de passivation et des incidents de procede sur la qualite interfaciale des dispositifs.
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e84f6ea0e2629f6ff651c307c1cd912e https://doi.org/10.1051/jp3:1993252 Zobrazit plný text záznamu