| Autor: |
Ufrset, Idrissa Gaye, Ibrahima Diatta, Mor Sarr, Lemrabott Habiboullah, Gora Diop, Mamadou Lamine Ba, Gregoire Sissoko, Seydi Ababacar Ndiaye, Ecole Superieure Polytechnique de Nouakchott, departement Genie Electrique, Mauritanie. |
| Rok vydání: |
2021 |
| Zdroj: |
International Journal of Advanced Research. 9:127-135 |
| ISSN: |
2320-5407 |
| DOI: |
10.21474/ijar01/12565 |
| Popis: |
Linfluence de lirradiation de particules chargees (helium, electrons, protons, ions lourds, etc.) sur une photopile au silicium n+-p-p+ sous eclairement dune lumiere monochromatique est consideree dans la determination de lepaisseur optimum de la base. Des expressions de la vitesse de recombinaison a la face arriere (Sb1 intrinseque et Sb2 dependante de labsorption de la lumiere) sont comparees graphiquement, donnant les epaisseurs optimales necessaires pour lelaboration de photopilesau silicium devant fonctionner dans des cas de flux denergie dirradiation. |
| Databáze: |
OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
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