Calorimetric determination of the formation energy for an amorphous layer on a crystalline silicon substrate

Autor:	B. Lukasch, G. Lück, H. Kerkow, G. Kreysch
Rok vydání:	1983
Předmět:	Monocrystalline silicon Crystallography Ion implantation Chemistry Analytical chemistry Recrystallization (metallurgy) Surface layer Crystalline silicon Condensed Matter Physics Electronic Optical and Magnetic Materials Amorphous solid
Zdroj:	Physica Status Solidi (a). 75:251-254
ISSN:	1521-396X 0031-8965
DOI:	10.1002/pssa.2210750128
Popis:	With a calorimetric set-up the energy is measured, which is accumulated in a silicon crystal during the amorphization of a surface layer by ion implantation. A value of E = (0.20 ± 0.02) eV per lattice atom is obtained and its relation to the recrystallization process is discussed. Mit einer kalorimetrischen Anordnung wird die Energie gemessen, die in einem Siliziumkristall wahrend der Amorphisierung einer Oberflachenschicht durch Ionenimplantation gespeichert wird. Es wurde ein Wert von E = (0,20 ± 0,02) eV pro Gitteratom ermittelt. Seine Beziehung zum Rekristallisationsprozes wird diskutiert.
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e6abc6f32b3d120aeea2c3e357f4784a https://doi.org/10.1002/pssa.2210750128 Zobrazit plný text záznamu Plný text