Amplifier Based on 4H-SiC MOSFET Operation at 500 °C for Harsh Environment Applications

Autor:	Vuong Van Cuong, Tatsuya Meguro, Seiji Ishikawa, Tomonori Maeda, Hiroshi Sezaki, Shin-Ichiro Kuroki
Rok vydání:	2022
Předmět:	Electrical and Electronic Engineering Electronic Optical and Magnetic Materials
Zdroj:	IEEE Transactions on Electron Devices. 69:4194-4199
ISSN:	1557-9646 0018-9383
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::e468808ff202b6b26641a8dcd832dd84 https://doi.org/10.1109/ted.2022.3184663 Zobrazit plný text záznamu