Characteristics of PEALD–Hafnium Dioxide Films and their Application to Gate Insulator Stacks of Photosynaptic Transistors

Autor: Jieun Kim, Jung Wook Lim, Jaehee Lee
Rok vydání: 2021
Předmět:
Zdroj: Advanced Electronic Materials. 8:2101061
ISSN: 2199-160X
DOI: 10.1002/aelm.202101061
Databáze: OpenAIRE