Characteristics of PEALD–Hafnium Dioxide Films and their Application to Gate Insulator Stacks of Photosynaptic Transistors
Autor: | Jieun Kim, Jung Wook Lim, Jaehee Lee |
---|---|
Rok vydání: | 2021 |
Předmět: | |
Zdroj: | Advanced Electronic Materials. 8:2101061 |
ISSN: | 2199-160X |
DOI: | 10.1002/aelm.202101061 |
Databáze: | OpenAIRE |
Externí odkaz: |