Study of recombination and transport properties of a-Si:H(i)/ µc-Si:H(n) contact system for crystalline silicon solar cells
Autor: | Uvarov, Alexander, Baranov, Artem, Maksimova, Alina, Vyacheslavova, Ekaterina, Gudovskikh, Alexander |
---|---|
Jazyk: | angličtina |
Rok vydání: | 2022 |
Předmět: | |
DOI: | 10.18721/jpm.153.228 |
Popis: | This article is devoted to the study of the contact and recombination properties of the combination of a-Si:H(i)/µc-Si:H(n) layers. Numerical modeling of the band diagram as well as experimental study of the contact system with a silicon substrate has been carried out. The optimal values of the thicknesses of the contact layers are determined, which make it possible to obtain a low rate of carrier recombination and contact resistance. Данная статья посвящена исследованию контактных и рекомбинационных свойств комбинации слоев a-Si:H(i)/µc-Si:H(n) на подложках кристаллического кремния. Проведено численное моделирование зонной диаграммы, а также экспериментальное исследование транспортных свойств на кремниевой подложке. Определены оптимальные значения толщин контактных слоев, позволяющие получить низкую скорость рекомбинации носителей и контактное сопротивление. |
Databáze: | OpenAIRE |
Externí odkaz: |