Experimental study of nanoholes formation using local droplet etching of fib-modified GaAs (001) surface
Autor: | Chernenko, Natalia, Kirichenko, Danil, Shandyba, Nikita, Balakirev, Sergey, Eremenko, Michael, Solodovnik, Maxim |
---|---|
Jazyk: | angličtina |
Rok vydání: | 2022 |
Předmět: | |
DOI: | 10.18721/jpm.153.309 |
Popis: | In this work, we study of the effect of focused ion beam (FIB) and pre-growth treatment based on local droplet etching (LDE) techniques combination on the regular nanohole array formation on GaAs(001) surface, which can act as template for selective quantum dot formation in future. The results of the influence of the regimes of method combination on the nanohole shape and size are presented. Based on the analysis of Raman spectra, we have shown that the use of LDE-based technique makes it possible to almost restore the crystal structure of FIB-modified regions completely. The possibility of obtaining highly symmetrical, faceted by {101} and {011} planes nanoholes of various diameters and depths in selected surface points in one technological cycle is shown. В данной работе представлены результаты экспериментальных исследования влияния сочетания модификации поверхности GaAs(001) методом фокусированных ионных пучков (ФИП) и последующей предростовой обработки на основе техники локального капельного травления на процессы формирования упорядоченных массивов углублений с целью их использования в дальнейшем для селективного роста квантовых точек. Представлены результаты исследований режимов в рамках используемого подхода на размеры и форму формируемых углублений. С помощью рамановской спектроскопии показано, что капельное травление позволяет практически полностью восстановить кристаллическую структуру подложки в области ФИП-модификации. Также продемонстрирована возможность получения высокосимметричных, ограненных набором плоскостей {101} и {011} углублений различных размеров в заданных точках поверхности в рамках единого технологического цикла. |
Databáze: | OpenAIRE |
Externí odkaz: |