n-Type Doping in GaSb using Dimethyltellurium (DMTe) by Metalorganic Chemical Vapor Deposition (MOCVD)

Autor:	Ari H. Ramelan
Rok vydání:	2013
Předmět:	Materials science Dimethyltellurium Doping Analytical chemistry Chemical vapor deposition Metalorganic vapour phase epitaxy
Zdroj:	The Wonder of Nanotechnology: Quantum Optoelectronic Devices and Applications
DOI:	10.1117/3.1002245.ch7
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::df7821b599a719c7b4885a9001c1a88c https://doi.org/10.1117/3.1002245.ch7 Zobrazit plný text záznamu