Demonstration of Low EOT Gate Stack and Record Transconductance on $L_{\mathrm{g}}=90$ nm nFETs Using 1.8 nm Ferroic HfO2-ZrO2 Superlattice
| Autor: | W. Li, L. C. Wang, S. S. Cheema, N. Shanker, J. H. Park, Y. H. Liao, S. L. Hsu, C. H. Hsu, S. Volkman, U. Sikder, A. J. Tan, J. H. Bae, C. Hu, S. Salahuddin |
|---|---|
| Rok vydání: | 2021 |
| Zdroj: | 2021 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM). |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
|