Selective Area Growth of GaN Nanowire: Partial Pressures and Temperature as the Key Growth Parameters
| Autor: | Sonachand Adhikari, Mykhaylo Lysevych, Chennupati Jagadish, Hark Hoe Tan |
|---|---|
| Rok vydání: | 2022 |
| Předmět: | |
| Zdroj: | Crystal Growth & Design. 22:5345-5353 |
| ISSN: | 1528-7505 1528-7483 |
| DOI: | 10.1021/acs.cgd.2c00453 |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
|