Oberflächenstörungen und Hohlwachstum bei der Züchtung von β-Kupferphthalocyanin-Einkristallen aus der Gasphase
Autor: | F. Przyborowski, C. Hamann, F. Kersten |
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Rok vydání: | 1976 |
Předmět: | |
Zdroj: | Kristall und Technik. 11:1227-1235 |
ISSN: | 1521-4079 0023-4753 |
DOI: | 10.1002/crat.19760111204 |
Popis: | Bei der Zuchtung von Kupferphthalocyanin-Einkristallen aus der Gasphase bilden sich haufig Hohlformen. Diese Erscheinung erschwert bzw. verhindert vorgesehene experimentelle Studien. Untersuchungen zur Uberwindung dieser Schwierigkeiten werden beschrieben. Ursachen des Hohlwachstums sind, wie aus den Beobachtungen von Oberflachenstorungen und aus zielgerichteten Zuchtungsexperimenten hervorgeht, Wachstumsinstabilitaten, hervorgerufen durch diffusionsbedingte Inhomogenitat der Uberschreitung uber der Wachstumsfront. Durch die Einfuhrung besonderer Verfahrensweisen der Zuchtung und Wahl bestimmter Parameter gelang es, volle Kristalle groserer Abmessungen, bis zu einem Millimeter in Querrichtung, zu erhalten. Veroffentlichungen zum Hohlwachstum anderer Substanzen aus der Gasphase werden referiert. Hollow crystals are obtained frequently during the growth of copper phthalocyanine single crystals from the vapour phase. This appearance makes some physical investigations impossible. To overcome these difficulties some ways are discussed. The reasons for hollow growth are instabilities in the growth caused by diffusion controlled inhomogeneities in supersaturation on the growth front. This was found by observations of surface defects and by defined growth experiments. By introduction of special methods of growth and use of defined parameters one obtains bulk crystals of larger extent up to 1 mm in cross direction. References are given in the field of hollow crystal growth in the vapour phase of other substances. |
Databáze: | OpenAIRE |
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