Modeling of the elementary gas‐phase reaction during chemical vapor deposition of silicon carbide from CH 3 SiCl 3 /H 2

Autor:	Yasuyuki Fukushima, Takeshi Momose, Yukihiro Shimogaki, Mitsuo Koshi, Yuichi Funato, Noboru Sato
Rok vydání:	2020
Předmět:	Inorganic Chemistry chemistry.chemical_compound Chemical engineering Chemistry Organic Chemistry Kinetics Silicon carbide Chemical vapor deposition Physical and Theoretical Chemistry Biochemistry Gas phase
Zdroj:	International Journal of Chemical Kinetics. 52:359-367
ISSN:	1097-4601 0538-8066
DOI:	10.1002/kin.21355
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::db6bc86162c7b0e4c10417214dcd635d https://doi.org/10.1002/kin.21355 Zobrazit plný text záznamu Plný text ve formátu PDF Plný text ve formátu HTML
Nepřihlášeným uživatelům se plný text nezobrazuje	K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.