Normally-off lateral and vertical GaN power transistors

Autor:	Renqiang Zhu
Rok vydání:	2023
DOI:	10.14711/thesis-991013106449303412
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d9318a3d5aea06d8a90a918f584fe4dd https://doi.org/10.14711/thesis-991013106449303412 Zobrazit plný text záznamu