A Model for Multiparametric Analysis of the Parameters of Short-Channel HEMT-Type Transistors

Autor:	A. D. Nedoshivina, I. V. Makartsev, S. V. Obolensky
Rok vydání:	2022
Předmět:	Condensed Matter Physics Atomic and Molecular Physics and Optics Electronic Optical and Magnetic Materials
Zdroj:	Semiconductors. 56:346-351
ISSN:	1090-6479 1063-7826
DOI:	10.1134/s1063782622070065
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d5047f94b86c1ea8979cd916be663fb7 https://doi.org/10.1134/s1063782622070065 Zobrazit plný text záznamu Plný text ve formátu PDF Plný text ve formátu HTML
Nepřihlášeným uživatelům se plný text nezobrazuje	K zobrazení výsledku je třeba se přihlásit.