4H-SiC MOSFETs on C(000-,1) Face with Inversion Channel Mobility of 127cm2/Vs
Autor: | Kenji Fukuda, Takaya Suzuki, Kazutoshi Kojima, Junji Senzaki, Makoto Kato |
---|---|
Rok vydání: | 2004 |
Předmět: | |
Zdroj: | Materials Science Forum. :1417-1420 |
ISSN: | 1662-9752 |
Databáze: | OpenAIRE |
Externí odkaz: |