Modeling Irradiation-Induced Degradation for 4H-SiC Power MOSFETs
Autor: | Shiwei Liang, Yu Yang, Lei Shu, Ziyuan Wu, Bingru Chen, Hengyu Yu, Hangzhi Liu, Liang Wang, Tongde Li, Gaoqiang Deng, Jun Wang |
---|---|
Rok vydání: | 2023 |
Předmět: | |
Zdroj: | IEEE Transactions on Electron Devices. 70:1176-1180 |
ISSN: | 1557-9646 0018-9383 |
Databáze: | OpenAIRE |
Externí odkaz: |