Concentration-fluctuation model of a doped semiconductor in the nonmetallic regime. II. Excitation spectrum

Autor:	K. A. Chao, R. Riklund
Rok vydání:	1984
Předmět:	Materials science Semiconductor Condensed matter physics business.industry Doping Spectrum (functional analysis) Atomic physics business Excitation
Zdroj:	Physical Review B. 29:3456-3462
ISSN:	0163-1829
DOI:	10.1103/physrevb.29.3456
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d1bb7d14c08b37f047ee48124896f28a https://doi.org/10.1103/physrevb.29.3456 Zobrazit plný text záznamu