Quantitative study of EOT lowering in negative capacitance HfO₂-ZrO₂ superlattice gate stacks

Autor:	M. Hoffmann, S. S. Cheema, N. Shanker, W. Li, S. Salahuddin
Rok vydání:	2022
Zdroj:	2022 International Electron Devices Meeting (IEDM).
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::d1a4848527c64f872deffa65ace81c24 https://doi.org/10.1109/iedm45625.2022.10019456 Zobrazit plný text záznamu