| Popis: |
В работе комплексом спектроскопических методов изучены свойства эпитаксиальных твердых растворов GaxIn1-xP с упорядоченным расположением атомов в кристаллической решетке, выращенных MOCVD на монокристаллических подложках GaAs(100). Показано, что в условиях когерентного роста упорядоченного твердого раствора GaxIn1-xP на GaAs(100) появление атомного упорядочения приводят к кардинальному изменению оптических свойств полупроводника по сравнению со свойствами неупорядоченных твердых растворов, среди которых уменьшение ширины запрещенной зоны и усиление люминесценции. Впервые на основе данных дисперсионного анализа ИК-спектров отражения, а также данных УФ-спектроскопии, полученных в режиме отражения – пропускания, определены основные оптические характеристики твердых растворов GaxIn1-xP с упорядочением, а именно дисперсия коэффициента преломления, высокочастотная диэлектрическая проницаемость. Показано, что все экспериментальные результаты находятся в хорошем согласии с развитыми теоретическими представлениями. Работа в части создания эпитаксиальных гетероструктур с высокими функциональными свойствами выполнена при поддержке гранта Президента РФ МД-188.2017.2. Экспериментальные исследования были проведены с помощью научно-технической базы ЦКПНО ВГУ. |
