QUASI-1D CHANNELS IN Si DELTA-DOPED GaAs GROWN ON VICINAL (111)A GaAs SUBSTRATES

Autor:	G. B. Galiev, V. A. Kulbachinskii, A. V. Derkach, V. G. Kytin, V. G. Mokerov, R. A. Lunin, V. A. Rogozin, I. S. Vasil’evskii
Rok vydání:	2003
Předmět:	Delta Materials science business.industry Doping Optoelectronics business Vicinal
Zdroj:	Physics, Chemistry and Application of Nanostructures.
DOI:	10.1142/9789812796738_0116
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::cecce5e9c6061b2f1380dbed79e5ec14 https://doi.org/10.1142/9789812796738_0116 Zobrazit plný text záznamu