CVD Material Processing. Effects of Pressure and Gas Feed Rate on Growth Rate Profile of GaN Thin Film in Vertical MOCVD Reactor
| Autor: | Manabu Shimada, Heru Setyawan, Yasushi Iyechika, Takayoshi Maeda, Kikuo Okuyama |
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| Rok vydání: | 2000 |
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| Zdroj: | KAGAKU KOGAKU RONBUNSHU. 26:804-810 |
| ISSN: | 1349-9203 0386-216X |
| DOI: | 10.1252/kakoronbunshu.26.804 |
| Popis: | トリメチルガリウム (TMG) とNH3を原料ガスとして用いた有機金属化学気相析出法 (MOCVD法) によるGaNエピタキシャル薄膜の製造に及ぼす, 反応器内圧力とガス流量の影響を実験とシミュレーションの両面から検討した. 実験では枚葉式の垂直型コールドウォール反応器中で1, 373Kに加熱した基板上に成膜したGaN薄膜の膜厚分布を測定した. 薄膜生成過程のシミュレーションを行うために, TMGとNH3が気相中でアダクトと重合体を生成する反応をモデル化し, これを考慮した反応器内の流速, 温度, 化学種の濃度の分布の数値計算によって成膜速度分布を予測した. 計算結果は, 反応器内の圧力を大気圧から1/8に減少させたときの成膜速度の変化, ならびに減圧下での流量の増大による膜厚分布の平坦化をうまく説明した. 計算結果の検討により, 成膜速度分布の変化は, 基板上の成膜種の濃度分布が反応器内の循環流などに影響されたことに起因していると結論づけられた. |
| Databáze: | OpenAIRE |
| Externí odkaz: |
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