Selective doping in hydride epitaxy and the electrical properties of quantum-well Ge/GeSi:B heterostructures

Autor:	L. K. Orlov, N. L. Orlova, R. A. Rubtsova
Rok vydání:	1999
Předmět:	Materials science Hydride business.industry Inorganic chemistry Doping Optoelectronics Heterojunction Condensed Matter Physics Epitaxy business Atomic and Molecular Physics and Optics Quantum well Electronic Optical and Magnetic Materials
Zdroj:	Semiconductors. 33:313
ISSN:	1063-7826
DOI:	10.1134/1.1187686
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::cdcfdb66769e87871755fcb2a601fbfb https://doi.org/10.1134/1.1187686 Zobrazit plný text záznamu Plný text ve formátu PDF