Vertical GaN Transistor with Semi‐Insulating Channel

Autor:	Peter Šichman, Roman Stoklas, Stanislav Hasenöhrl, Dagmar Gregušová, Milan Ťapajna, Boris Hudec, Štefan Haščík, Tamotsu Hashizume, Aleš Chvála, Alexander Šatka, Ján Kuzmík
Rok vydání:	2023
Předmět:	Materials Chemistry Surfaces and Interfaces Electrical and Electronic Engineering Condensed Matter Physics Surfaces Coatings and Films Electronic Optical and Magnetic Materials
Zdroj:	physica status solidi (a).
ISSN:	1862-6319 1862-6300
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ccbabafd89324f24c23e010586a57fa3 https://doi.org/10.1002/pssa.202200776 Zobrazit plný text záznamu Plný text