Influence of Material Properties of PECVD Silicon Nitride Films Prepared at 150℃ from Highly Diluted SiH4 in N2

Autor: Wan-Shick Hong, Kil-Sun No, Di-Su Keum
Rok vydání: 2013
Předmět:
Zdroj: Korean Journal of Metals and Materials. 51:233-238
ISSN: 2288-8241
1738-8228
DOI: 10.3365/kjmm.2013.51.3.233
Databáze: OpenAIRE