Origins of Electrical Compensation in Si‐Doped HVPE GaN

Autor:	Igor Prozheev, Malgorzata Iwinska, Tomasz Sochacki, Michal Bockowski, René Bès, Filip Tuomisto
Rok vydání:	2023
Předmět:	Condensed Matter Physics Electronic Optical and Magnetic Materials
Zdroj:	physica status solidi (b). :2200568
ISSN:	1521-3951 0370-1972
DOI:	10.1002/pssb.202200568
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::ca435c7aa32a1e0ca63f1229a79888f0 https://doi.org/10.1002/pssb.202200568 Zobrazit plný text záznamu Plný text