2X reduction of STT-MRAM switching current using double spin-torque magnetic tunnel junction

Autor:	G. Hu, G. Lauer, J. Z. Sun, P. Hashemi, C. Safranski, S. L. Brown, L. Buzi, E. R. J. Edwards, C. P. D'Emic, E. Galligan, M. G. Gottwald, O. Gunawan, H. Jung, J. Kim, K. Latzko, J. J. Nowak, P. L. Trouilloud, S. Zare, D. C. Worledge
Rok vydání:	2021
Zdroj:	2021 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM).
Databáze:	OpenAIRE
Externí odkaz:	https://explore.openaire.eu/search/publication?articleId=doi_________::c8d2744883bf60d4284ab3d5976e9553 https://doi.org/10.1109/iedm19574.2021.9720691 Zobrazit plný text záznamu